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J-GLOBAL ID：200903075022961999

半導体デバイスと、同デバイスの製造方法

Inventor： リディング,ジョゼフ・ダブリュー ,  ヘス,カール
Applicant, Patent owner： ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイ
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997526145
Publication number (International publication number)：2000503479
Application date： Jan. 16, 1997
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】動作特徴を改良し、半導体デバイスの操作の過程中に生ずる脱不動態を減じるためにジュウテリウムによって半導体デバイスをコンディショニングするための好ましい方法を述べる。周期律表のIII族、IV族又はV族からの1種類以上の元素を含有する半導体(12)と、半導体層(13、14)と、絶縁層(17)と、導電層(20)とを含む半導体デバイス(11)をも述べる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスの処理方法であって、前記デバイスをジュウテリウムで不動態化することを含む上記方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 301 F