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J-GLOBAL ID：200903075037635168
薄膜形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996004905
Publication number (International publication number)：1997199493
Application date： Jan. 16, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置を形成するウエハの大口径化に対応して、低コストで薄膜を形成し、加えて、平坦化ができるようにすることを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上にAlをスパッタ法で膜厚0.5μmに形成し、この後、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術で配線パターンを転写することによりAl電極配線層2を形成する。次いで、この上に絶縁膜(薄膜)3が形成されたシートフィルム(基材)4を張り合わせ、絶縁膜3を半導体基板1表面に転写する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基材表面上に前記薄膜を形成し、前記基材の表面を前記半導体基板表面と対向させて、間に前記薄膜が挟まれた状態で前記基材と前記半導体基板とを張り合わせ、前記基材を前記半導体基板に押しつけることで前記薄膜を前記半導体基板に転写することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/314
, H01L 21/3205
H01L 21/314 A
, H01L 21/88 K
Cited by examiner (6)
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