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J-GLOBAL ID：200903075046155551

フラーレン類含有半導体ヘテロ接合膜

Inventor： ギャビン トレーブー ,  中村 振一郎
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 星野 哲郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005169534
Publication number (International publication number)：2006344794
Application date： Jun. 09, 2005
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：

【課題】 p型およびn型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。【解決手段】 p型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記p型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

p型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記p型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜。

IPC (2)：

H01L 51/42 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L31/04 D ,  H01L31/10 A

F-Term (10)：

5F049MB08 ,  5F049NA01 ,  5F049PA11 ,  5F049PA20 ,  5F049SE04 ,  5F051AA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB30 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国公開特許2004-183070号公報