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J-GLOBAL ID：200903075047066382

高出力半導体レーザ

Inventor： 駒崎 岩男
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993022586
Publication number (International publication number)：1994237041
Application date： Feb. 10, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、p側2クラッド層への電子のリーク抑制効果、高効率・高出力化を図ったことを主要な目的とする。【構成】基板(11)と、この基板上に形成された第1クラッド層(12)と、この第1クラッド層上に形成された第1光出力導波路層(14)と、この導波路層上に形成され,各量子井戸幅が5nm以下の多重量子井戸活性層(15)と、この活性上に形成された第2光出力導波路層(16)と、この導波路層上に形成され,中央部にメサ部を有する第2クラッド層(18)と、前記第2クラッド層上に形成され,第2クラッド層のメサ部を該メサ部の長手方向に沿って挟みこむ電流ブロック層(2) と、前記第1光出力導波路層と第1クラッド層間,及び前記第2光出力導波路層と第2クラッド層間に夫々形成され,前記各クラッド層のバンドギャップよりも100 meV〜300 meV大きなバンドギャップをもち前記光出力導波路層よりも薄い第1・第2バリア層(12 ,17) とを具備することを特徴とする高出力半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成された第1クラッド層と、この第1クラッド層上に形成された第1光出力導波路層と、この導波路層上に形成され,各量子井戸幅が5nm以下の多重量子井戸活性層と、この活性上に形成された第2光出力導波路層と、この導波路層上に形成され,中央部にメサ部を有する第2クラッド層と、前記第2クラッド層上に形成され,第2クラッド層のメサ部を該メサ部の長手方向に沿って挟みこむ電流ブロック層と、前記第1光出力導波路層と第1クラッド層間,及び前記第2光出力導波路層と第2クラッド層間に夫々形成され,前記各クラッド層のバンドギャップよりも100meV〜300meV大きなバンドギャップをもち前記光出力導波路層よりも薄い第1・第2半導体層とを具備することを特徴とする高出力半導体レーザ。