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J-GLOBAL ID：200903075055651081

レジスト材料およびパターン形成方法

Inventor： 小太刀 明子 ,  武智 敏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 宇井 正一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993331746
Publication number (International publication number)：1995140667
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 十分な微細パターンが形成することが可能なレジスト材料およびそのようなレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【構成】 シリコン(Si)含有アクリレートと酸(プロトン酸)によって脱離する基を有し、この基の脱離後は極性が変化して水性アルカリ溶液(現像液)に可溶となるアクリレートとの共重合体および放射線照射により酸を発生する光酸発生剤を含む材料をレジストして用いる。

Claim (excerpt)：

下記式Iで表される共重合体および光酸発生剤を含むレジスト材料。【化1】〔上式中、R1 およびR3 はそれぞれ独立に水素、C1-4 アルキル、ハロゲン、ハロゲン化(C1-4 )アルキル、ニトリルまたはフェニルを表し、R2 は下記式II、【化2】(上式中、R5 はC1-4 アルキレンを表し、R6 、R7 およびR8 はそれぞれ独立にC1-4 アルキル、ハロゲン化(C1-4 )アルキル、フェニルまたはトリ(C1-4 )アルキルシリル(C1-4 )アルキルを表す)で表される基を表し、R4 は酸によって脱離する基を表し、mおよびnは正の整数である〕

IPC (9)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 561 ,  H01L 21/30 573

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-309358
  
• 特開平4-026850
  
• 特開平4-052648
  
• 特開平3-261952
  
• 特開平4-042229