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J-GLOBAL ID：200903075058195923

半導体分布帰還型レーザ装置

Inventor： 井上 武史 ,  中島 眞一
Applicant, Patent owner： 光計測技術開発株式会社
Agent (1)： 井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991333707
Publication number (International publication number)：1993167179
Application date： Dec. 17, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 活性層5の厚みに周期的な変化を設けて利得結合を実現するとともに、その厚みの変化により生じる屈折率の周期変化を相殺するためその近傍に周期屈折率層3、4を設けた半導体分布帰還型レーザ装置において、製造後に屈折率結合の大きさを調整できるようにする。【構成】 活性層5への電流注入とは独立に周期屈折率層3、4の少なくとも一部に電流を注入できるようにし、電流値によりその層の屈折率を制御する。

Claim (excerpt)：

電流注入により誘導放出光を発生する活性層を備え、この活性層にはその誘導放出光に光分布帰還を施すための厚みの周期変化が設けられ、この活性層の近傍には、この活性層の厚みの変化により生じる屈折率の周期変化を相殺する周期屈折率層が設けられた半導体分布帰還型レーザ装置において、前記活性層への電流注入とは独立に前記周期屈折率層の少なくとも一部に電流を注入する手段を備えたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。