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J-GLOBAL ID：200903075060480970

シリコンの製造法

Inventor： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
Applicant, Patent owner： 株式会社高純度化学研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993041680
Publication number (International publication number)：1994219724
Application date： Jan. 21, 1993
Publication date： Aug. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン薄膜の成膜時に全く加熱を要しないシリコン薄膜の製造法と粒子性に優れたシリコン粉末の製造法を提供することを目的とする。【構成】 SiHx(OR)4-x、(ここでxは0、1、2または3、RはCH3、C2H5、C3H7またはC4H9)の分子式で表されるアルコキシシランにSiyH2y+2、(ここでyは1、2または3)の分子式で表されるシランを混ぜて、ゲージ圧50KPa以上の圧力下に置くことによってシリコン粉末並びに基体上にシリコン薄膜を得るシリコンの製造法。

Claim (excerpt)：

SiHx(OR)4-x、(ここでxは0、1、2または3、RはCH3、C2H5、C3H7、またはC4H9)の分子式で表されるアルコキシシランにSiyH2y+2、(ここでyは1、2または3)の分子式で表されるシランを混ぜて、ゲージ圧50KPa以上の圧力下に置くことによってシリコン粉末を得ることを特徴とするシリコン粉末の製造法。

IPC (2)：

C01B 33/021 ,  C23C 16/24