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J-GLOBAL ID：200903075063344465

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 諸沢 成浩
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994213963
Publication number (International publication number)：1996078688
Application date： Sep. 07, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 緻密で高品質なゲート絶縁膜を低温で作製し、素子特性および信頼性に優れたTFTを低温プロセスで得る。【構成】 半導体層2上にゲート絶縁膜3を成膜した後、レーザーアニールを行う。このレーザーアニールにより、半導体層2とゲート絶縁膜3との界面近傍におけるゲート絶縁膜3の緻密化と界面原子のネットワークの再構成が行って、界面準位密度を減少させると共に良好な界面を形成する。このレーザーアニールは、半導体層2とゲート絶縁膜3との界面が800°C〜1000°Cとなるようなエネルギー密度で行うのが望ましい。

Claim (excerpt)：

チャネル半導体層とゲート絶縁膜とが接する構造を有する薄膜半導体装置の製造方法であって、該チャネル半導体層と該ゲート絶縁膜とを順次成膜し、その後、レーザーアニールを行う薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-119974
  
• 薄膜状半導体装置の作製方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-191934   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所