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J-GLOBAL ID：200903075077187591

金属シリコンの精製方法および精製装置

Inventor： 中村 尚道 ,  湯下 憲吉 ,  馬場 裕幸 ,  阪口 泰彦 ,  寺嶋 久栄
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995310719
Publication number (International publication number)：1997142823
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、プラズマ溶解による溶融シリコンからのボロン除去の難しさを解決し、より効率的な金属シリコンの精製方法及び装置を提供することを目的としている。【解決手段】不活性ガスからなるプラズマジェット流を溶融金属シリコン浴の湯面に噴射し、含有不純物を除去する金属シリコンの精製方法において、水蒸気を前記不活性ガスに混合又は前記溶融金属シリコン浴の湯面に吹き付けると共に、磁束の方向が該溶融金属シリコン浴の湯面に平行になるよう直流磁場を印加することを特徴とする金属シリコンの精製方法である。

Claim (excerpt)：

不活性ガスからなるプラズマジェット流を溶融金属シリコン浴の湯面に噴射し、含有不純物を除去する金属シリコンの精製方法において、水蒸気を前記不活性ガスに混入又は別途に前記溶融金属シリコン浴の湯面に吹き付けると共に、磁束の方向が該溶融金属シリコン浴の湯面に平行になるよう直流磁場を印加することを特徴とする金属シリコンの精製方法。