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J-GLOBAL ID：200903075082073120

半導体レーザ

Inventor： 上野 芳康 ,  藤井 宏明 ,  五明 明子
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235451
Publication number (International publication number)：1993055699
Application date： Aug. 21, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザの発振閾値電流を低減し、高温動作特性を改善する。【構成】 活性層4は、〔-1,1,1〕または〔1,-1,1〕方向に秩序状態を持ち、かつ、(0,0,1)面内に圧縮歪を持つ半導体層を少なくとも含む。秩序状態と圧縮歪の作用により該活性層中の再結合光は(1,1,0)面内へ放射し、該再結合光はより効率的に発振モードに利得を与える。

Claim (excerpt)：

(0,0,1)面を持つ半導体基板と、(0,0,1)面内圧縮歪を持ち、かつ、〔-1,1,1〕または〔1,-1,1〕方向に秩序状態を持つ化合物半導体層を少なくとも含む活性層と、該活性層を少なくとも含むレーザ共振器とを有することを特徴とする半導体レーザ。