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J-GLOBAL ID：200903075100680160

絶縁膜の形成方法

Inventor： 木村 秀樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998031160
Publication number (International publication number)：1999233508
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】直接トンネリングに起因したリーク電流の増加を抑制することができ、優れた特性を有する極薄の絶縁膜を形成することができる方法を提供する。【解決手段】絶縁膜の形成方法は、シリコン層40の表面に形成されたシリコン酸化膜42、及び、その上に形成された誘電体層43から成る絶縁膜の形成方法であって、シリコン層40の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層40の表面にシリコン酸化膜42を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン層の表面に形成されたシリコン酸化膜、及び、その上に形成された誘電体層から成る絶縁膜の形成方法であって、シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。