気相成長装置及び気相成長方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川澄茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002052511
Publication number (International publication number)：2003257867
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】反応炉内のサセプタ中心部分から基板到達直前までの領域の温度を厳密に制御して、電子移動度の向上を図ると共に、基板面内の電子移動度のバラツキを抑え、また原料効率を高めることを可能にする。【解決手段】板状のサセプタ2に、複数の基板3を、サセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し、且つ面をガス流路4側に向けて支持し、その基板3の裏面側からサセプタ1をヒータ5で加熱し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガスを流し、加熱された基板3上で半導体結晶をエピタキシャル成長させる気相成長装置において、サセプタ中心部分から半径方向外方にかけて複数個の独立に制御可能な成長用加熱ヒータ5a〜5eを順次配設すると共に、上記成長用加熱ヒータ5a〜5eにより、サセプタ中心部分から基板3までの領域の温度を、基板3上の温度よりも低く制御する。

Claim (excerpt)：

板状のサセプタに、複数の基板を、サセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し、且つ面をガス流路側に向けて支持し、その基板の裏面側からサセプタをヒータで加熱し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶をエピタキシャル成長させる気相成長装置において、サセプタ中心部分から半径方向外方にかけて複数個の独立に制御可能な成長用加熱ヒータを順次配設すると共に、上記成長用加熱ヒータを制御して、サセプタ中心部分から基板までの領域の温度を、基板上の温度よりも低く保持する制御手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/46 , C30B 25/10 , C30B 29/40 502 , H05B 3/00 310

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/46 , C30B 25/10 , C30B 29/40 502 A , H05B 3/00 310 B

F-Term (47)：

3K058AA71 , 3K058AA86 , 3K058AA88 , 3K058BA14 , 3K058CE18 , 3K058CE21 , 4G077AA03 , 4G077BE41 , 4G077DB01 , 4G077EA01 , 4G077EG16 , 4G077TJ03 , 4K030AA05 , 4K030AA08 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA25 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030EA06 , 4K030GA01 , 4K030JA04 , 4K030JA10 , 4K030KA23 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045BB02 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DP15 , 5F045EK22

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