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J-GLOBAL ID：200903075114240686
低速陽電子ビーム発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001535
Publication number (International publication number)：1995211493
Application date： Jan. 12, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 電場併用型の減速材を用い、低速陽電子への非常に高い変換効率が得られる低速陽電子ビーム発生装置を提供する。【構成】 陽電子線源4から発生した白色陽電子は減速材であるSi基板1で減速され、表面電極2a及び裏面電極2b間に形成された電界によって表面電極2aの方向に運ばれ、表面電極2aから低速陽電子として放出される。この場合、Si基板1の表面の両電極2a、2b間に形成された複数の凸部1a、及び凹部1bによって沿面距離が長くなるため、両電極2a、2b間に高電圧を印加しても沿面放電が生じない。このため、Si基板1に侵入した陽電子の大部分が対消滅する前に表面電極2aに到達する。
Claim (excerpt)：
陽電子を減速させるための基板の両面に電極を設け、前記両電極間に所定の電位差を与えた状態で陽電子を一方に入射させ低速化した陽電子を他方の電極から放出する低速陽電子ビーム発生装置において、前記両電極間の前記基板表面に凹部又は凸部を形成したことを特徴とする低速陽電子ビーム発生装置。
IPC (2)：
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