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J-GLOBAL ID：200903075117216255

多層配線を形成する半導体装置の製造方法

Inventor： 橋本 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター
Agent (1)： 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991277243
Publication number (International publication number)：1993090421
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 接続孔におけるエッチングの汚染および大気中の水分吸着によるW形成の障害を取り除き、上層配線との良好な接触を保つ接続孔の埋め込みを行うこと。【構成】 本発明は、多重配線からなる下層配線の最上層または単一層からなる下層配線に高融点金属8を用い、その上面にアモルファスシリコン層2を形成し、次いで、層間絶縁膜7を形成し、この層間絶縁膜に接続孔3を開口してその底部にアモルファスシリコンを露出させた後、この露出部分のアモルファスシリコンによるWF6 ガスの還元反応を行い、前記底部にタングステン層4を形成し、次いで還元用ガスによるWF6 ガスの還元反応を実施して前記タングステン層にさらにタングステンの堆積5を進行させ、接続孔の埋め込みを行って多層配線用接続孔を埋め込んだ半導体装置を形成する。

Claim (excerpt)：

多層配線用接続孔を選択タングステンCVD法により埋め込み、配線間の接続をして多層配線を形成する半導体装置の製造方法において、多重配線からなる下層配線の最上層または単一層からなる下層配線に高融点金属を用い、その上面にアモルファスシリコン層を形成し、次いで、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜に接続孔を開口してその底部にアモルファスシリコンを露出させた後、この露出部分のアモルファスシリコンによるWF6 ガスの還元反応を行い、前記底部にタングステン層を形成し、次いで還元用ガスによるWF6 ガスの還元反応を実施して前記タングステン層にさらにタングステンの堆積を進行させ、前記接続孔の埋め込みを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-287149
  
• 特開昭63-096941
  
• 特開平3-116932