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J-GLOBAL ID：200903075118049468

磁気抵抗効果膜の製造方法

Inventor： 梅本 卓史 ,  前田 篤志 ,  田沼 俊雄 ,  久米 実
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997071790
Publication number (International publication number)：1998270776
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 強磁性層または反強磁性層等の磁性層を含む積層膜から構成される磁気抵抗効果膜を製造する方法において、高い磁界感度を有する磁気抵抗効果膜を製造する方法を得る。【解決手段】 積層膜のうちの少なくとも1つの強磁性層3を、水素ガスを含む、例えばXe雰囲気中で、イオンビームスパッタリングなどのスパッタリング法により形成することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

磁性層を含む積層膜から構成される磁気抵抗効果膜を製造する方法において、前記積層膜のうちの少なくとも1つの磁性層を、水素ガスを含む雰囲気中でスパッタリング法により形成することを特徴とする磁気抵抗効果膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 43/12 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18

FI (4)：

H01L 43/12 ,  C23C 14/34 P ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18