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J-GLOBAL ID：200903075140417500

ガスセンサ

Inventor： 江頭 誠 ,  清水 康博 ,  高尾 雄二 ,  宮崎 兼一
Applicant, Patent owner： フィガロ技研株式会社
Agent (1)： 塩入 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232953
Publication number (International publication number)：1994058899
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アミン化合物やフレオンに高感度なガスセンサを提供する。【構成】 金属酸化物半導体膜上に電極を積層し、金属酸化物半導体膜と電極とを触媒膜で被覆する。アンモニア検出の場合、触媒膜が無いとアンモニアの酸化で生じたNOやNO2等が負荷電吸着し感度が抑制される。触媒層で被覆することにより、アンモニアを部分的に分解して活性化し感度を高め、かつNOやNO2の負荷電吸着を抑制してさらに感度を高める。電極を金属酸化物半導体膜上に積層し、触媒膜で生じた短寿命の活性種を金属酸化物半導体膜の表面で検出する。同様にフレオン検出の場合、触媒膜でフレオンを活性化し、塩素やフッ素系の生成物を触媒膜で除いて、フレオンを検出する。

Claim (excerpt)：

絶縁基体上に、ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体を設けると共に、この金属酸化物半導体膜上に電極を形成し、かつ電極と前記の金属酸化物半導体膜とを被覆するように触媒膜を設けた、ガスセンサ。