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J-GLOBAL ID：200903075147839915
光起電力素子及び発電システム
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992332060
Publication number (International publication number)：1994181325
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は堆積速度を向上させた従来の光起電力素子において、光励起キャリアーの再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子を提供することを目的とする。【構成】 水素を含有する非単結晶シリコン系のp型層、i型層、n型層を積層して構成され、i型層がマイクロ波プラズマCVD法によって形成された光起電力素子において、i型層は、H、Ge、Sn、C、価電子制御剤の内少なくとも1種を含み、H、Ge、Sn、Cの含有量が層厚方向になめらかに変化したi型層であり、且つp型層及びn型層の内少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造からなり、RFド-ピング層がMWド-ピング層とi型層に挟まれるように配置されたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を積層して構成され、該i型層がマイクロ波プラズマCVD法によって形成された光起電力素子において、該i型層の水素含有量が層厚方向になめらかに変化し、且つ該p型層及びn型層のうち少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造からなり、該RFド-ピング層が該MWド-ピング層と該i型層に挟まれるように配置されたことを特徴とする光起電力素子。
Patent cited by the Patent：
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