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J-GLOBAL ID：200903075173482391

エッチングされたプラチナから再堆積隠蔽部を除去する方法

Inventor： ジェング エイチ. ホワング
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998082527
Publication number (International publication number)：1998326770
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 基板上に堆積されたプラチナ電極層をエッチングする方法を提供する。【解決手段】 プラチナ電極層、プラチナ電極層上の絶縁層、及び絶縁層上のレジスト層を支持する基板を提供する。絶縁層の部分は、エッチャントガスのプラズマを使用してエッチングされ、貫通される。プラチナ電極層から絶縁層の部分が除去されて、プラチナ電極層の一部分が露出される。プラチナ電極層の露出した部分は、その後アルゴンを含むエッチャントガスのプラズマを使用することによってエッチングされる。エッチングされたプラチナ電極層は、続いて、エッチャントガスの高密度プラズマを使用することによってオーバーエッチングされ、再堆積隠蔽部がエッチングされたプラチナ電極層から除去される。エッチングされたプラチナ電極層は半導体デバイスで使用される。

Claim (excerpt)：

プラチナ電極から、プラチナ電極のエッチング中に形成された再堆積隠蔽部を除去するための方法であって、(a)プラチナ電極のエッチング中にプラチナ電極上に形成された再堆積隠蔽部を有するプラチナ電極を提供するステップと、(b) 前記再堆積隠蔽部を前記プラチナ電極から除去するために、エッチャントガスの高密度プラズマを用いることを含んだ、前記ステップ(a)の前記プラチナ電極エッチングするステップと、を含む方法。