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J-GLOBAL ID：200903075173648265

半導体製造装置の熱処理炉

Inventor： 石原 將司
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997087370
Publication number (International publication number)：1998270372
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】被処理基板を加熱する際の被処理基板の均熱性を向上させる半導体製造装置の熱処理炉を提供する。【解決手段】側壁25の上下に上盤42、底盤46を気密に設け処理室5を形成し、前記側壁25を内側壁部27と外側壁部26により構成し、該内側壁部27と該外側壁部26の境界部に冷却水路33用の溝34を形成し、冷却水を前記冷却水路に流通させ側壁の内壁を全周に亘って均等に冷却する。

Claim (excerpt)：

側壁の上下に上盤、底盤が気密に設けられて処理室が形成されると共に上盤、底盤の上側、下側に加熱源が設けられ、前記側壁が内側壁部と外側壁部により構成され、該内側壁部と該外側壁部の境界部に冷却水路用の溝を形成したことを特徴とする半導体製造装置の熱処理炉。

IPC (4)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/26 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 G ,  H01L 21/302 B