Pat

J-GLOBAL ID：200903075178080518

半導体集積回路装置とその製造方法

Inventor： 澄田 仁志 ,  熊谷 直樹
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992005253
Publication number (International publication number)：1993190874
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】高耐圧の素子を搭載する場合にできるだけ薄いSOI基板で作製でき、同時に誘導電位による素子の誤動作がなくなるようにし、また製造工程中のSOI基板の反りの問題を解決する。【構成】SOI基板の支持基板を低抵抗性にし、その支持基板に裏面電極を設けて接地して電位を固定することにより、支持基板上の半導体層内での表面電界緩和効果を利用して薄い半導体層で高耐圧素子を搭載可能にし、誤動作を回避する。また製造工程中は反り緩和用半導体基板を支持基板の裏側に固着して反りの発生を防止し、製造工程終了後除去する。

Claim (excerpt)：

支持基板上に絶縁膜を介して設けられた半導体層の、その絶縁膜と表面からその絶縁膜に達する分離溝の内面の絶縁膜とによって分離される領域に素子が形成されるものにおいて、支持基板が低抵抗でその反半導体層側表面に所定の電位に固定された裏面電極を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 29/91 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平1-103851
  
• 特開平2-016751
  
• 特開平3-116877
  
• 特開平1-302740
  
• 特開昭57-170539