Pat
J-GLOBAL ID：200903075182841990
半導体レーザ装置及びこれを用いた光ピックアップ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992130934
Publication number (International publication number)：1993327129
Application date： May. 22, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 製造コストが低く、半導体基板に形成する光ビーム反射面の形状の自由度が高く、装置の薄型化を図れる半導体レーザ装置とする。【構成】 金属製の基台(ブロック1)上に半導体レーザチップ(レーザダイオード2)を固定し、基台に半導体レーザチップからの光ビームを所要方向に反射させる反射面(3)を形成することにより、反射面(3)の形状の自由度を高くし、また反射面(3)を介して半導体レーザ装置から出射するようにして装置の出射方向の寸法を薄くし、また構成の簡素化を図ることにより製造コストを低くするようにしたものである。
Claim (excerpt)：
金属製の基台上に半導体レーザチップを固定し、前記基台に前記半導体レーザチップからの光ビームを所要方向に反射させる反射面を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3)：
H01S 3/18
, G11B 7/125
, G11B 7/135
Cited by applicant (2)
-
特開昭60-182781
-
特開昭62-130585
Cited by examiner (5)
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