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J-GLOBAL ID：200903075188137070

磁性薄膜

Inventor： 大沼 繁弘 ,  増本 健
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997108030
Publication number (International publication number)：1998270246
Application date： Mar. 22, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【目的】本発明は、異方性磁界が20Oe以上、電気比抵抗値が50μΩcm以上および飽和磁束密度が16kG以上を有する高周波帯域で優れた軟磁性を示す磁性膜を提供することを目的とする。【構成】一般式Co<SB>100-X-Y-Z</SB>Fe<SB>X</SB>M<SB>Y</SB>O<SB>Z</SB>(原子%)で示され、それぞれの原子比率が10<X<502<Y<106<Z<2515<X+Y+Z<65であり、Mは酸化物の生成熱が-1000kJ以上のAl,Zr,Ti,Hf,Mg,Be,あるいは希土類元素の中の1種または2種以上の元素であり、異方性磁界が20Oe以上、電気比抵抗値が50μΩcm以上および飽和磁束密度が16kG以上を有することを特徴とする磁性薄膜。

Claim (excerpt)：

一般式Co<SB>100-X-Y-Z</SB>Fe<SB>X</SB>M<SB>Y</SB>O<SB>Z</SB>(原子%)で示され、それぞれの原子比率が10<X<502<Y<106<Z<2515<X+Y+Z<65であり、Mは酸化物の生成熱が-1000kJ以上のAl,Zr,Ti,Hf,Mg,Be,および希土類元素の中の1種または2種以上の元素であり、異方性磁界が20Oe以上、電気比抵抗値が50μΩcm以上および飽和磁束密度が16kG以上を有することを特徴とする磁性薄膜。

IPC (4)：

H01F 10/16 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/31

FI (4)：

H01F 10/16 ,  G11B 5/127 F ,  G11B 5/187 F ,  G11B 5/31 C