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J-GLOBAL ID：200903075189829570
大サイズ単結晶の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156171
Publication number (International publication number)：1994183892
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Jul. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 1cm2以上の面積を有するような大サイズの単結晶を作成することのできる製造方法を提供することを目的とする。【構成】 単結晶の製造に際して、(a)複数の方向性を有する種ウエファーからなる種板上に、独立した複数個のシードホールを有するマスキング層を形成すること、(b)該種板を結晶成長反応装置に設置すること、(c)該マスキング層上に単結晶体の連続層が形成されるように該シードホール中及びマスキング層上にエピタキシャル結晶を成長させること、(d)得られたエピタキシャル結晶成長層を該種板から分離すること、及び(e)個々の種ウエファーの面積よりも大きい面積を有する単結晶を回収することを特徴とする大サイズ単結晶の製造方法。
Claim (excerpt)：
単結晶を製造するに際して、(a) 複数個の異なる方向性を有する種ウエファーからなる種板上に、独立した複数個のシードホールを有するマスキング層を形成すること、(b) 該種板を結晶成長反応装置中に設置すること、(c) 該マスキング層上に単結晶体の連続層が形成されるように該シードホール中及びマスキング層上にエピタキシャル結晶を成長させること、(d) 得られたエピタキシャル結晶成長層を該種板から分離すること、(e)個々の種ウエファーの面積よりも大きい面積を有する単結晶を回収すること、を特徴とする大サイズ単結晶の製造方法。
IPC (6)：
C30B 29/04
, C30B 25/02
, C30B 25/04
, C30B 33/08
, H01L 21/205
, H01L 21/314
