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J-GLOBAL ID：200903075200876313

水素ガス製造方法及び装置

Inventor： 長瀬 匡夫
Applicant, Patent owner： 長瀬 匡夫 ,  田中 昭則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999037651
Publication number (International publication number)：2000199090
Application date： Jan. 06, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】[課題]本願発明は、クリーンエネルギーとしての水素ガスを外部エネルギーを利用することなく、密接する異種金属間に発生する電位差により、電気化学的に分解して製造し、電解液を電解液予備槽に移送して発生量を自己制御することを主たる課題とする。[解決手段]発生槽内に電解液を電気化学的に分解して水素ガスを発生する電解液と密接する異種金属からなる電極とを収納し、水素ガス発生量を電極と電解液との接触面積の変動により制御するよう、発生槽内の水素ガスの圧力により、発生槽の上方に位置した電解液予備槽に、発生槽の底部近傍に開口し電解液予備槽に通液管で導通して電解液を移送して貯蔵し、発生槽から利用器具への通気管の途中に開閉制御装置を設けて水素ガスを製造するものである。

Claim (excerpt)：

発生槽内に電解液を電気化学的に分解して水素ガスを発生する電解液と接触する異種金属からなる電極とを収納し、水素ガス発生量を電極と電解液との接触面積の変動により制御するようにした水素ガス製造方法。

IPC (2)：

C25B 1/02 ,  H01M 8/06

FI (2)：

C25B 1/02 ,  H01M 8/06 G

F-Term (12)：

4K021AA01 ,  4K021BA10 ,  4K021BA17 ,  4K021BC03 ,  4K021BC07 ,  4K021CA09 ,  4K021CA13 ,  4K021DA09 ,  4K021DA13 ,  4K021DC03 ,  5H027AA02 ,  5H027BA11