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J-GLOBAL ID：200903075210640571

ドライエッチング方法

Inventor： 篠原 啓二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992332552
Publication number (International publication number)：1994163479
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アルミ多層膜からなる配線のドライエッチングにおいて、良好なエッチング形状を確保し、半導体の素子形成工程における歩留りを向上させる。【構成】 アルミニウム(Al)合金層5の上層に、Alを含まない材料からなる反射防止膜6を形成させてなるアルミ多層膜を、反応ガスの放電によって生成したプラズマによってドライエッチングする方法において、前記反応ガスに酸素を含むガス、またはフッ素を含むガスを添加して、反射防止膜6とAl合金層5の上部をエッチングした後、前記反応ガスとして、酸素及びフッ素を含まない反応ガスを用いて、Al合金層5をエッチングする。これによって、反射防止膜6直下のAl合金層5のエッチング側壁に、Al2 O3 またはAlF3 の保護膜を形成しながら、エッチングが行なわれる。

Claim (excerpt)：

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層の上層に、アルミニウムを含まない材料からなる層を形成させてなる多層膜を、反応ガスの放電で生成したプラズマによってドライエッチングする方法において、前記反応ガスに酸素を含むガスを添加して、前記アルミニウムを含まない材料からなる層とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層の上部をエッチングする工程と、前記反応ガスとして、酸素を含まない反応ガスを用いて、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層をエッチングする工程とからなることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/30 361 T ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 Q