Pat
J-GLOBAL ID:200903075213427704

高臨界温度超伝導可撓性導体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992290368
Publication number (International publication number):1994318411
Application date: Oct. 28, 1992
Publication date: Nov. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】 厚さ0.1mm〜1mmの金属リボンに超伝導セラミック堆積物を付設することにより、高臨界温度可撓性超伝導導体を製造する方法及び該方法により得られた高臨界温度可撓性超伝導導体。【構成】 本発明の方法は、繰り出し方向に結晶配向化された稠密度約100%、厚さ10μm〜100μmの表面超伝導層を前記堆積物に与えるように、赤外ビームにより処理されたゾーンが繰り出し方向に10mm以下の幅及び1200°C以上の表面温度を有するように、厚さ50μm〜300μmの前記堆積物を70%以上の稠密度及び5cm/分以上の速度で赤外ビーム内に繰り出す段階と、その後、酸素雰囲気下でアニールする段階とを含むことを特徴とする。
Claim (excerpt):
厚さ0.1mm〜1mmの金属リボンに超伝導セラミック堆積物を付設することにより、高臨界温度可撓性超伝導導体を製造する方法であって、繰り出し方向に結晶配向化された稠密度約100%、厚さ10μm〜100μmの表面超伝導層を前記堆積物に与えるように、赤外ビームにより処理されたゾーンが繰り出し方向に10mm以下の幅及び1200°C以上の表面温度を有するように、厚さ50μm〜300μmで70%以上の稠密度の前記堆積物を5cm/分以上の速度で赤外ビーム内に繰り出す段階と、その後、酸素雰囲気下でアニールする段階とを含むことを特徴とする方法。
IPC (7):
H01B 13/00 565 ,  C23C 14/10 ,  C23C 14/24 ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭63-292530
  • 特開平2-255505
  • 特開平4-017217

Return to Previous Page