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J-GLOBAL ID：200903075234451192

GaInAs半導体の高抵抗化方法

Inventor： 宮本 広信
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992235048
Publication number (International publication number)：1994084949
Application date： Sep. 03, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 GaInAs層を有する電子ディバイスにおいて、GaInAs層を高抵抗化する。【構成】 高抵抗InP基板1上にアンドープAlInAs層2、アンドープGaInAs層3、アンドープAlInAs層4、SiドープAlInAs層5、アンドープAlInAs層6、SiドープGaInAs層7を形成する。SiO2 のマスク8を用いて動作層以外にイオン注入法によりGaイオンを300KeVで1×1017cm-2注入し、イオン注入領域11を形成する。イオン注入領域11は高抵抗になる。

Claim (excerpt)：

AlInAs/GaInAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるGaInAs層にイオン注入法によりGaイオンを注入して結晶欠陥を発生させ、エネルギーバンドギャップを増大させてGaInAs層を高抵抗化することを特徴とするGaInAs半導体の高抵抗化方法。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 C ,  H01L 29/80 H