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J-GLOBAL ID：200903075237200590

量子細線装置及び製造方法

Inventor： 岡島 芳彦 ,  加藤 和男 ,  森谷 吉久
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323954
Publication number (International publication number)：1995183485
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電子デバイス等に使用される半導体量子細線装置を得る。【構成】 単結晶基板に、(イ)該単結晶基板上にVLS成長法により形成された針状単結晶からなる量子細線及び(ロ)該単結晶基板と絶縁物層を介して形成された少なくとも1つの電極が設置された量子細線装置。

Claim (excerpt)：

単結晶基板に、(イ)該単結晶基板上にVLS成長法により形成された針状単結晶の量子細線及び(ロ)該単結晶基板と絶縁物層を介して形成された少なくとも1つの電極が設置されたことを特徴とする量子細線装置。

IPC (2)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/68