半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002316349
Publication number (International publication number)：2004152995
Application date： Oct. 30, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

【課題】ゲート電極の仕事関数を最適化することができ、しかも特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、n型MISトランジスタが形成される第1の領域に第1のゲート絶縁膜110を形成する工程と、第1の領域であって第1のゲート絶縁膜上に、シリコンと、タングステン及びモリブデンの中から選択された金属元素と、リン及びヒ素の中から選択された不純物元素とを含有した第1の導電膜111を堆積する工程と、p型MISトランジスタが形成される第2の領域に第2のゲート絶縁膜110を形成する工程と、第2の領域であって第2のゲート絶縁膜上に、第1の導電膜よりも高い仕事関数を有する第2の導電膜113を形成する工程とを備える。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、 n型MISトランジスタが形成される第1の領域に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第1の領域であって前記第1のゲート絶縁膜上に、シリコンと、タングステン及びモリブデンの中から選択された金属元素と、リン及びヒ素の中から選択された不純物元素とを含有した第1の導電膜を堆積する工程と、 p型MISトランジスタが形成される第2の領域に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2の領域であって前記第2のゲート絶縁膜上に、前記第1の導電膜よりも高い仕事関数を有する第2の導電膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9)：

H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (7)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 301S , H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L27/10 621C , H01L27/10 681F , H01L29/78 301P

F-Term (115)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD66 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104DD88 , 4M104DD90 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF21 , 4M104GG08 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104GG19 , 4M104HH20 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA23 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F083AD01 , 5F083AD24 , 5F083GA21 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR06 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA05 , 5F083ZA07 , 5F083ZA12 , 5F140AA01 , 5F140AA27 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BE03 , 5F140BE05 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF37 , 5F140BG04 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭59-125650
特開昭58-215064
特開昭60-066854

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