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J-GLOBAL ID：200903075262178388
無水アンチモン酸亜鉛半導体ガスセンサー及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998059430
Publication number (International publication number)：1999258193
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 硫化水素を始めとする各種還元性ガスを検知する無水アンチモン酸亜鉛半導体ガスセンサー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 無水アンチモン酸亜鉛半導体をガス検知部に用いたガス検知用センサーである。検知するガスが硫化水素ガスである本願記載のガス検知用センサー。本願のガス検知用センサーの製造方法は、0.8〜1.2のZnO/Sb2O5モル比に亜鉛化合物とコロイダル酸化アンチモンを混合した後、300〜680°Cで焼成後、粉砕して得られた導電性無水アンチモン酸亜鉛を含有するゾルを素子基板に塗布した後、680°Cを越え1000°C未満の温度で加熱処理するものである。
Claim (excerpt)：
無水アンチモン酸亜鉛半導体をガス検知部に用いたガス検知用センサー。
IPC (2)：
FI (3)：
G01N 27/12 B
, G01N 27/12 M
, C01G 30/02
Cited by applicant (5)
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