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J-GLOBAL ID：200903075269773362

基板切断方法及び基板切断装置

Inventor： 藤井 知 ,  横地 健一 ,  藤田 博考 ,  西 輝人 ,  板倉 克裕
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  ダイトロンテクノロジー株式会社
Agent (5)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  阿部 豊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002196371
Publication number (International publication number)：2004039931
Application date： Jul. 04, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】高硬度な基板を切断するにあたり、母材面積を有効に利用し、かつ、切断されたチップの応力による歪みを抑制できる基板切断方法及び基板切断装置を提供すること。【解決手段】電子素子6が複数形成された基板50の一方の面50uに溝8を形成し、基板50の他方の面50lにおける溝8が形成された位置に対応する位置52にブレード40を当接させた後、ブレード40を基板50に対して押圧することで基板50を切断する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電子素子が複数形成された基板の一方の面に溝を形成する工程と、 前記基板の他方の面における前記溝が形成された位置に対応する位置にブレードを当接させる工程と、 前記ブレードを前記基板に対して押圧することで前記基板を切断する工程と、 を含むことを特徴とする基板切断方法。

IPC (1)：

H01L21/301

FI (3)：

H01L21/78 Q ,  H01L21/78 F ,  H01L21/78 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-048984
  
• 電気光学デバイスを製造する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-322049   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345937   Applicant：日亜化学工業株式会社
• ダイヤモンドウエハのチップ化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-279761   Applicant：住友電気工業株式会社