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J-GLOBAL ID：200903075302806310
プラズマCVD装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993151245
Publication number (International publication number)：1994338458
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】プラズマCVD装置に於いて、カソードの温度分布の均一化、反応ガスの導入の均一化を同時に達成する。【構成】カソード9とアノード6を相対向させ設け、前記カソードに穿設した反応ガス供給孔11より反応ガスを導入し、両電極を加熱可能と共に両電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させる様にしたプラズマCVD装置に於いて、前記カソードをカソード保持体8に設け、該カソード保持体を介してカソードを加熱可能とし、又該カソードとカソード保持体との間にガス分散板28を嵌装し、前記反応ガスは該ガス分散板を流通してプラズマ発生空間に導入され、該ガス分散板を通過する過程で、圧力降下が多段に進行し、断熱膨脹が抑制されると共に均圧化が促進され、更に該ガス分散板により加熱され、加熱された反応ガスが均一にプラズマ発生空間に導入され、又カソードはガス分散板を介して効果的にカソード保持体から給熱され温度分布の均一化が促進される。
Claim (excerpt)：
カソードとアノードを相対向させ設け、前記カソードに穿設した反応ガス供給孔より反応ガスを導入し、両電極を加熱可能と共に両電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させる様にしたプラズマCVD装置に於いて、前記カソードをカソード保持体に設け、該カソード保持体を介してカソードを加熱可能とし、又該カソードとカソード保持体との間にガス分散板を嵌装し、前記反応ガスを該ガス分散板を流通させプラズマ発生空間に導入する様にしたことを特徴とするプラズマCVD装置。
Patent cited by the Patent：
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