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J-GLOBAL ID：200903075302962672

半導体シリコンウェーハの洗浄方法

Inventor： 中野 正己 ,  内山 勇雄 ,  高松 広行
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994205321
Publication number (International publication number)：1996069990
Application date： Aug. 30, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体シリコンウェーハ表面への微粒子の付着を効果的かつ充分に抑制、低減することができる半導体シリコンウェーハの洗浄方法を提供する。【構成】 フッ酸水溶液を用いて半導体シリコンウェーハを洗浄し、ついで該半導体シリコンウェーハを純水を用いて水洗する半導体シリコンウェーハの洗浄方法において、上記フッ酸水溶液中に界面活性剤を添加しかつ上記純粋中にオゾンを含有せしめる。

Claim (excerpt)：

フッ酸水溶液を用いて半導体シリコンウェーハを洗浄し、ついで該半導体シリコンウェーハを純水を用いて水洗する半導体シリコンウェーハの洗浄方法において、上記フッ酸水溶液中に界面活性剤を添加しかつ上記純水中にオゾンを含有せしめることを特徴とする半導体シリコンウェーハの洗浄方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 3/08 ,  C11D 3/04 ,  C11D 7/02 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-228328
  
• 特開昭58-055323
  
• 特開平1-183824