Pat
J-GLOBAL ID：200903075317040550
圧力センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995100825
Publication number (International publication number)：1996293614
Application date： Apr. 25, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：
【要約】【目的】ダイアフラムの厚みを薄くして検出感度を向上させる。【構成】シリコン基板の表面に炭化シリコンを堆積させてダイアフラム2を形成する。ダイアフラム2の表面には微結晶シリコンから成る歪ゲージ3と、アルミニウムから成る電極配線6及び電極パッド5が形成してある。シリコン基板の裏面側から異方性エッチングすることで矩形枠状の支持部1が形成される。したがって、炭化シリコン層を堆積形成することでダイアフラム2の薄膜化が可能となり、圧力の検出感度を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
表面に歪ゲージが形成されたダイアフラムと、このダイアフラムを支持する支持部とを半導体基板を加工して形成した圧力センサにおいて、ダイアフラムを形成する材料と、支持部を形成する材料とに互いにエッチング速度の異なる材料を用いたことを特徴とする圧力センサ。
IPC (2)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 A
, G01L 9/04 101
