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J-GLOBAL ID：200903075320215388
半導体レ-ザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071731
Publication number (International publication number)：1993175605
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、しきい値電流密度,最大動作温度等のレ-ザ特性に優れた実用的な半導体レ-ザ装置を提供することを目的とする。【構成】GaAs基板1上に形成されたIny (Ga1-X AlX )1-y Pからなる活性層がInZ (Ga1-X AlX )1-Z Pからなるn型,p型クラッド層2,5で挾持されたDH構造を有する半導体レ-ザ装置において、p型クラッド層5の一部を多重量子障壁構造にし、且つ量子障壁数を3〜10個としたことを特徴とする半導体レ-ザ装置。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された第1の半導体の活性層と、この活性層を挾持する互いに導電型の異なる第2の半導体のクラッド層及び第3の半導体のクラッド層とを具備してなり、前記クラッド層の少なくとも一方が量子障壁数が3〜10個の多重量子障壁構造を有するInZ (Ga1-X AlX )1-Z Pからなることを特徴とする半導体レ-ザ装置。
Patent cited by the Patent：
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