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J-GLOBAL ID：200903075330877354
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996153952
Publication number (International publication number)：1998004244
Application date： Jun. 14, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 従来より欠陥密度が小さく、しきい値電流密度が小さい、Nを含有するIII-V族化合物より構成される半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型SiC(0001)基板1上にGaInN5活性層とこの活性層5をはさむガイド層4、6およびこのガイド層をはさむクラッド層3、7によりダブルヘテロ構造が構成される。クラッド層にAl0.19Ga0.77In0.04Nを用いることにより、このクラッド層は、GaNに格子整合し、その結果、層内の欠陥密度が10-7台以下になり、従来よりしきい値電流密度が小さなNを含有するGaN系の半導体レーザが実現できる。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に積層されており、少なくとも1層がAl、Ga、InおよびNを同時に含むIIIーV族化合物半導体層からなり、前記化合物半導体層のダブルヘテロ構造を有している半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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