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J-GLOBAL ID：200903075335381411
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997033206
Publication number (International publication number)：1998223757
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 コンタクトホ-ル下部に対して上部の開孔径を大きくし、かつホ-ル内部に角の部分が存在しない形状を、下層配線の主材料がアルミニウムであっても実現する。【解決手段】 半導体基板内又は半導体基板の上方に形成した導電層20上に絶縁膜30を形成し、この絶縁膜30上に当該絶縁膜30と異なる材料からなる絶縁膜40を形成する。次に、絶縁膜40に絶縁膜30に達する開孔を形成し、前記開孔の上部に上に凸の丸みを物理スパッタリングにより形成する。しかる後、絶縁膜40をマスクとして絶縁膜30に導電層20に達する開孔を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板内又は半導体基板の上方に形成した導電層上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に前記第1の絶縁膜と異なる材料からなる第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に前記第1の絶縁膜に達する開孔を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に形成した前記開孔の上部に上に凸の丸みを物理スパッタリングにより形成する工程と、前記第2の絶縁膜をマスクとして、絶縁膜第1の絶縁膜に前記導電層に達する開孔を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 B
, H01L 21/302 M
