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J-GLOBAL ID：200903075337139618

半導体装置の作製方法

Inventor： 山元 良高 ,  須沢 英臣 ,  粟根 克昶 ,  船田 文明 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994315475
Publication number (International publication number)：1996153879
Application date： Nov. 26, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの活性層の作製において、活性層の側面におけるプラズマダメージのない作製方法を提供する。【構成】 ガラス基板101上に形成された結晶性珪素膜103上にレジストマスク100を配置し、フッ化ハロゲンガスを主成分としたエッチングガスを用いて結晶性珪素膜103のエッチングを行う。こうして活性層104を形成する。この際、エッチングガスをプラズマ化させずにエッチングを行う。こうすることで、活性層104の側面にプラズマダメージが生じないプロセスとすることができる。フッ化ハロゲンガスとしては、ClF3 を用いることができる。

Claim (excerpt)：

島状に形成された珪素薄膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタの作製方法であって、珪素薄膜上にマスクを配置する工程と、フッ化ハロゲンガスを主成分としたエッチングガスで珪素薄膜をエッチングし、活性層となる島状の領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜トランジスタおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-078999   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-185030
  
• 特開昭60-053027
  
• 特開平3-293726