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J-GLOBAL ID：200903075338617572
薄膜電子源
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997010952
Publication number (International publication number)：1998208620
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】下部電極-絶縁層-上部電極の三層構造を有する薄膜型電子源において、絶縁層の耐電圧性を向上させることにより薄膜型電子源の寿命および電子放出特性を向上させる。【解決手段】絶縁層としてダイヤモンド薄膜を用い、上部電極としてダイヤモンド薄膜表面に形成した水素吸着層,アルカリ金属吸着層またはグラファイト層を用いる。
Claim (excerpt)：
上部電極と下部電極の間に絶縁層を有する薄膜電子源において、絶縁層としてダイヤモンド薄膜を用いた薄膜電子源。
FI (2)：
H01J 1/30 M
, H01J 1/30 A
