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J-GLOBAL ID:200903075342525917
赤外線検出素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 純之助 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995268179
Publication number (International publication number):1997113353
Application date: Oct. 17, 1995
Publication date: May. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】 応答速度の向上が図られ出力信号の低下を抑制し感度の優れた赤外線検出素子。【解決手段】 半導体基板1の空洞部2を介して形成されたダイアフラム3上に、温接点7と冷接点8を備えた赤外線検知部と赤外線吸収領域12を有し、冷接点8が素子の中央部及び外縁部に形成された赤外線検出素子。
Claim (excerpt):
半導体基板の一主面に形成された空洞部と、該半導体基板から前記空洞部を介して形成された低熱伝導性のダイアフラムまたはメンブレンと、該ダイアフラムまたはメンブレン上に、冷接点と温接点を備える赤外線検知部、及び赤外線吸収領域を有する赤外線検出素子において、前記赤外線検知部の冷接点は、前記赤外線検出素子の中央部及び外縁部に形成されていることを特徴とする赤外線検出素子。
IPC (3):
G01J 1/02
, G01J 5/12
, H01L 35/32
FI (3):
G01J 1/02 C
, G01J 5/12
, H01L 35/32 A
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