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J-GLOBAL ID：200903075355853930

固体撮像素子

Inventor： 小野 秀行 ,  中井 正章 ,  佐藤 朗 ,  尾崎 俊文 ,  田中 治彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991303065
Publication number (International publication number)：1993145056
Application date： Nov. 19, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【構成】従来、スミア抑圧のため設けられたN型層を残したまま、より浅くて不純物濃度の高いN型層を追加する。【効果】信号電荷読み出しチャンネルとなるN型領域が形成されるので、信号電荷の読み出しを行うことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に設けられた半導体基体とは逆導電形のウェル層内に形成した光電変換素子及びスイッチ素子からなる画素のアレーと、前記画素のアレーを走査する水平及び垂直走査素子と、前記垂直走査素子を覆うように形成された前記ウェル層と同導電型の第一拡散層をもった固体撮像素子において、前記画素のアレー及び垂直走査素子領域の前記ウェル層上に前記ウェル層と逆導電型の複数の不純物層群を設けたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A