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J-GLOBAL ID：200903075365975910
半導体発光素子とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214369
Publication number (International publication number)：1996078725
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 特性変化やばらつきのない、優れた半導体発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n-GaAs基板1、n-InGaAlPクラッド層2、ノンドープInGaAlP活性層3、p-InGaAlPクラッド層4、p-AlGaAsウィンドウ層5、p-GaAsコンタクト層8をMOCVD法で連続的に結晶成長する際に、そのp型部位の成長時にZnと同時にBeをドーピングする。その後電極8、9を蒸着する。
Claim (excerpt)：
AlGaInP系の化合物半導体を用いたpn接合から成る発光部を有する半導体発光素子において、p型の伝導を示す領域に、Zn及びBeを同時にドーピングすることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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