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J-GLOBAL ID：200903075380768769

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 大槻 哲也
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 佐々木 宗治 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103159
Publication number (International publication number)：1994053390
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 放熱板内蔵形半導体装置の場合にはパッケージの際、放熱ブロックが移動したりボンディングワイヤが変形したりするおそれがなく、また、樹脂が放熱ブロックの表面に回り込むことのなくいようにし、放熱板内蔵形半導体装置の場合には放熱板とリードのとの安定した結合及び安定したワイヤボンディングのできるようにして、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を得る。【構成】 リードフレーム1のリード2で形成された空間部内に配設され、又はリードフレームのダイパッド3に固定され、そのボンディングパッドがワイヤによりリードにそれぞれ接続された半導体素子6と、熱伝導の良好な材料からなり、その外周がリードと重なる大きさに形成され、リード上にその一部にテープ状の絶縁物を介して配設されかつ中央部に直接又はダイパッドを介して半導体素子が配設された放熱ブロック5又は放熱板とを備え、リードの一部及び放熱ブロックの端面又はリードの一部を残して樹脂等により封止した。

Claim (excerpt)：

リードフレームのリードで形成された空間部内に配設され、又はリードフレームのダイパッドに固定され、そのボンディングパッドがワイヤにより前記リードにそれぞれ接続された半導体素子と、熱伝導の良好な材料からなり、その外周が前記リードと重なる大きさに形成され、前記リード上にその一部にテープ状の絶縁物を介して配設されかつ中央部に直接又は前記ダイパッドを介して前記半導体素子が配設された放熱ブロック又は放熱板とを備え、前記リードの一部及び放熱ブロックの端面又はリードの一部を残して樹脂等により封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29

FI (2)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-037731
  
• 特開昭60-110146
  
• 特公昭50-029623