ドープド薄膜の成膜方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993093282
Publication number (International publication number)：1994310437
Application date： Apr. 20, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】面間膜厚の均一化が図れるとともに、膜中のP濃度およびアニール後のシート抵抗値も均一となり、均一な性能の被処理体を得ることができるドープド薄膜の成膜方法を提供することにある。【構成】反応容器1内のウェハボート13に複数枚のシリコンウェハWを対面する面の相互間隔が実質的に一様となるように配設し、減圧された反応容器1内に成膜用ガスとドーパントを含むドープ用ガスを供給してシリコンウェハWの表面にドーパントの含まれた薄膜を形成するドープド薄膜の成膜方法において、前記シリコンウェハWの反応温度を480〜530 ゚の範囲に設定することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

反応容器内に複数枚の被処理体を対面する面の相互間隔が実質的に一様となるように配設し、減圧された前記反応容器内に成膜用ガスとドーパントを含むドープ用ガスを供給して前記被処理体の表面にドーパントの含まれた薄膜を形成するドープド薄膜の成膜方法において、前記被処理体の反応温度を480〜530°Cの範囲に設定することを特徴とするドープド薄膜の成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 21/223

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-207024
特開平4-326512
特開平4-236422

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