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J-GLOBAL ID：200903075395964556

記憶装置

Inventor： 千葉 植
Applicant, Patent owner： 千葉 植
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993069040
Publication number (International publication number)：1994243684
Application date： Feb. 17, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】複数の列と行に記憶素子を配置し情報を記憶し読取れる記憶装置の消費電力を低減する。【構成】行信号線の電価をインダクタンス素子に流して放電し電力として蓄積し、記憶素子を列選択線で選択し行信号線に記憶値を取りだし、記憶値を増幅回路で増幅するときに、増幅回路をインダクタンス素子に蓄積された電力で駆動する。

Claim (excerpt)：

複数の行と列に記憶素子を配置し、記憶している情報を読みだす時には特定の列方向の列選択線で列上に並んだ記憶素子を選択し、各記憶素子の記憶している情報を各行方向の対の2線で構成される行信号線対の一方か、または記憶素子が正負対称出力を持つ時には両者かもしくは一方を行信号線に取りだし、取りだした行信号線対の信号差を対応する増幅回路で増幅して出力する記憶装置において。インダクタンス(以後はLと表記)素子に事前に電力を蓄積しておき、増幅回路が動作を開始した時にL素子を増幅回路に接続しL素子からの電流で増幅回路を駆動して信号を増幅する。

IPC (2)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/419

FI (2)：

G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 311