Pat
J-GLOBAL ID：200903075422208246
細胞の選択的溶解および/または最適化溶解に代表される粒子の選択および/または処理のための方法ならびに装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009504847
Publication number (International publication number)：2009533044
Application date： Apr. 12, 2007
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：
【解決手段】外部刺激に対して高感度な粒子の選択または処理のための方法ならびに装置であり、外部刺激を印加することによって、少なくとも1つの選択された粒子の破裂/溶解または第1および第2の選択粒子の融合が生じる。これは、粒子と同程度または粒子より小さい寸法を有する選択可能電極のアレイの電極(EL)を選択的に通電して、これらの電極に第1の構成(PMAN)の応力を印加することによって、第1の力の場(FMAN)を使用して粒子(CELL)を編成することと、電極に第2の構成(PZAP)の応力を印加することによって、溶解されるべき少なくとも1つの選択された粒子(CELL)または融合されるべき第1の粒子と第2の粒子との対の十分近くに位置しなおかつそれらの溶解または融合を生じるのに適した刺激の印加を生じるような第2の力の場(FZAP)を形成することと、によってなされる。【選択図】図1、図6
Claim (excerpt)：
外部刺激を印加することによって少なくとも1つの選択された粒子の破裂/溶解を生じさせるステップを備え、外部刺激の印加に対して高感度な粒子の選択または処理のための方法であって、
a)前記粒子(CELL)を、前記粒子と同程度または前記粒子より小さい寸法を有する選択可能電極のアレイの電極(EL)に近接させるステップと、前記電極(EL)を選択的に通電することによって、第1の力の場(FMAN)によって前記粒子(CELL)を必要に応じて随意に編成するために、前記電極には第1のパターン(PMAN)の張力が印加され得ることと、
b)溶解されるべき少なくとも1つの選択された粒子(CELL)の十分近くに位置し、前記少なくとも1つの選択された粒子にその破裂または溶解を生じさせるのに適した刺激を印加するような、第2の力の場(FZAP)を形成するために、前記電極に第2のパターン(PZAP)の電圧を印加するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
IPC (5)：
C12N 1/06
, C12N 1/02
, C12M 1/00
, C12Q 1/02
, C12Q 1/68
C12N1/06
, C12N1/02
, C12M1/00 A
, C12Q1/02
, C12Q1/68 A
4B029AA07
, 4B029FA01
, 4B029FA12
, 4B063QQ05
, 4B063QQ42
, 4B063QR32
, 4B063QR74
, 4B063QS16
, 4B063QS25
, 4B063QS39
, 4B065BD04
, 4B065BD14
, 4B065CA46
