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J-GLOBAL ID:200903075423223990

PTCサーミスタおよびこれを用いたヒーター構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大垣 孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995193750
Publication number (International publication number):1997045504
Application date: Jul. 28, 1995
Publication date: Feb. 14, 1997
Summary:
【要約】【課題】 温度上昇が速く、また、温度復帰能力の高いPTCサーミスタおよびこれを用いたヒーター構造。【解決手段】 予想使用温度領域において、臨界点以下の温度では負の抵抗温度係数を有し、かつ臨界点よりも高い温度では正の抵抗温度係数を有し、さらに予想使用温度領域において自己温度調節機能を有している第1物質と、予想使用温度領域において正の抵抗温度係数を有し、前記予想使用温度領域において自己温度調節機能を有している第2物質とからなるPTCサーミスタにおいて、第1物質と第2物質とを接触させて形成してなる。また、これら第1物質と第2物質とを具えるヒーター構造において、第1物質と第2物質とを接触させて、さらに第1物質と第2物質とが電気的に並列回路を形成するように電極を設けてなる。
Claim (excerpt):
予想使用温度領域において、臨界点以下の温度では負の抵抗温度係数を有し、かつ該臨界点よりも高い温度では正の抵抗温度係数を有し、さらに前記予想使用温度領域において自己温度調節機能を有している第1物質と、前記予想使用温度領域において正の抵抗温度係数を有し、かつ前記予想使用温度領域において自己温度調節機能を有している第2物質とからなるPTCサーミスタにおいて、前記第1物質と第2物質とを接触させて形成してなることを特徴とするPTCサーミスタ。
IPC (2):
H01C 7/02 ,  H05B 3/00 310
FI (2):
H01C 7/02 ,  H05B 3/00 310 E

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