レーザーアニール方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068670
Publication number (International publication number)：1996241872
Application date： Mar. 02, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】レーザー光の照射によるアニール効果を均一なものとする。【構成】線状にビーム加工されたパルス発振のレーザー光をその線の幅方向に走査しながら照射し、例えば半導体材料に対するアニールを行う。この際、レーザービームのエネルギー密度のビームプロファイルをその走査方向(線状のレーザービームの幅方向)において台形の形状とする。そして、レーザービームが一部重なるように照射を行うことで、台形の形状に従った分布で、段階的にエネルギー密度の変化したレーザーパルスを所定の領域に連続的に照射することができる。

Claim (excerpt)：

線状に加工されたパルスレーザービームであって、前記レーザービームのエネルギープロファイルを台形状にして、前記パルスレーザーを被照射物に対し相対的に1方向に走査させながら照射することを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (2)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/268 B , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭64-076715
特開平2-224346
多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-185661 Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (7)

特開昭64-076715
特開平2-224346
多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-185661 Applicant：三洋電機株式会社

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