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J-GLOBAL ID：200903075426116028

レーザーアニール方法

Inventor： 田中 幸一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068670
Publication number (International publication number)：1996241872
Application date： Mar. 02, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザー光の照射によるアニール効果を均一なものとする。【構成】 線状にビーム加工されたパルス発振のレーザー光をその線の幅方向に走査しながら照射し、例えば半導体材料に対するアニールを行う。この際、レーザービームのエネルギー密度のビームプロファイルをその走査方向(線状のレーザービームの幅方向)において台形の形状とする。そして、レーザービームが一部重なるように照射を行うことで、台形の形状に従った分布で、段階的にエネルギー密度の変化したレーザーパルスを所定の領域に連続的に照射することができる。

Claim (excerpt)：

線状に加工されたパルスレーザービームであって、前記レーザービームのエネルギープロファイルを台形状にして、前記パルスレーザーを被照射物に対し相対的に1方向に走査させながら照射することを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (2)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01L 21/268 B ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-076715
  
• 特開平2-224346
  
• 多結晶半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-185661   Applicant：三洋電機株式会社