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J-GLOBAL ID：200903075433764183

半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置の記録方法

Inventor： 島田 勝人
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174124
Publication number (International publication number)：1994021339
Application date： Jul. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体記憶装置製造中に於て、既に分極処理を行ない、分極処理後の製造中に各分域の双極子モーメントの反転を行なわないこと及び、動作時においても、1度も各分域の双極子モーメントの反転、すなわち極性の異なる構成原子間の変位を行なわないことにより、強誘電体薄膜内の空間電荷の発生を抑制し、読み出し/書き込みを1015回としても、キャパシタンスの減少のほとんどない信頼性の優れた強誘電体記憶装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板上に、Pt電極、PZTを順次形成する工程と、PZTを分極する工程と、PZTの転移温度未満の温度でその後の工程を行なう。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、電極を形成する工程と、前記電極上に強誘電体膜を形成する工程と、前記強誘電体膜表面と前記電極の間に電界を加えることにより、前記強誘電体膜を分極させる工程を備え、前記強誘電体膜の転移温度未満の温度で、前記強誘電体膜を分極させる工程以降の工程を行なうことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108