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J-GLOBAL ID:200903075440953153
振動式トランスデューサとその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小沢 信助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993169043
Publication number (International publication number):1995030128
Application date: Jul. 08, 1993
Publication date: Jan. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 簡単な構成で歪を高精度に計測することができるように改良された振動式トランスデューサとその製造方法を提供するにある。【構成】 第1伝導形式を有する半導体の基板と、この基板の表面に形成され先の伝導形式とは逆の第2伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと、両端が固定されこれ等のドレインとソースの表面から変位可能なように間隙を保持しながら先のドレインとソースのうち少なくとも1つと先のチャネルとを覆って配置され自励発振により先のドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の振動ゲートとを具備する振動式トランスデューサと、その製造方法である。
Claim (excerpt):
第1伝導形式を有する半導体の基板と、この基板の表面に形成され前記伝導形式とは逆の第2伝導形式を有するドレインとソースにより挟まれたチャネルと、両端が固定されこれ等のドレインとソースの表面から変位可能なように間隙を保持しながら前記ドレインとソースのうち少なくとも1つと前記チャネルとを覆って配置され自励発振により前記ドレインとの間に生じる静電力により変位する板状の振動ゲートとを具備することを特徴とする振動式トランスデューサ。
IPC (4):
H01L 29/84
, G01H 11/00
, G01L 1/10
, G01L 9/00
Patent cited by the Patent: